전력 반도체 스위칭 특성 향상 솔류션 제공           

▶▶ (주)제브는 귀사 제품(전력 반도체)에 대하여 전자빔 조사 공정 수탁 처리 합니다.

 

실리콘 웨이퍼, 다이오드 또는 IGBT의 스위칭 속도, 복구 시간 및 기타 전기적 특성을 높이면 경쟁 우위를 높이고 대상 산업에서 더 큰 시장 점유율을 얻을 수 있습니다.

 

방사선 기반 전자빔 (E-Beam) 처리는 IGBT, SCR, BJT 및 GTO와 같은 많은 양극성 실리콘 전력 반도체 장치의 스위칭 속도(전력 반도체에 대한 소수 캐리어 수명 제어)를 조정하기 위한 안정적이고 재현 가능한 방법입니다. 이(수명 제어를 위한 중금속 확산)는 금 또는 백금 도핑의 기존 공정에 비해 상당한 이점을 제공합니다.

 

전자빔 조사는 안정적이고 재현 가능합니다.

당사의 웨이퍼 캐리어는 비용 효율적인 처리를 위해 단일 실행으로 웨이퍼 스택을 처리할 수 있을 뿐만 아니라 스택 전체와 웨이퍼 전체에 걸쳐 균일한 선량 흡수를 허용합니다.

 

Material Modification Solutions for Power Semiconductors

 

By increasing the switching speed, recovery times, and other electrical properties of your silicon wafers, diodes, or IGBTs, you can increase your competitive advantage and gain greater market share in the industries you target.

 

Radiation-based Electron Beam (E-Beam) processing is a reliable and reproducible method for tailoring switching speeds (minority carrier lifetime control for power semiconductors) of many bipolar silicon power semiconductor devices such as IGBTs, SCRs, BJTs, and GTOs. This (heavy metal diffusion for lifetime control) offers significant advantages over the conventional processes of gold or platinum doping:

E-Beam irradiation is reliable and reproducible

Our wafer carrier not only allows for the processing of stacks of wafers in a single run for cost-effective processing, but also allows uniform dose absorption throughout the stacks and across the wafers.

Use E-Beam to achieve feature enhancements in numerous semiconductors